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    HBNSI6611SiC半桥驱动板

    HBNSI6611SiC半桥驱动板是基于纳芯微的高压隔离驱动芯片NSI6611设计的，此开发板设计为半桥结构，可以独立驱动上下两个桥臂的IGBT或SiC，兼容ST的ACEPACK DRIVE封装，开发板还集成了两路高压侧驱动的供电，并且电压可调。客户可以完成半桥驱动的应用测试如 双脉冲测试、短路测试等，从而帮助客户快速的评估NSI6611的功能和参数特性



    产品特性

    • 5.7KVRMS隔离电压

    • 10A的电流驱动能力

    • CMTI可以达到±150KV/us

    • 集成200ns快速响应的DESAT检测

    • 集成400mA软关断功能

    • 集成主动米勒钳位功能

    • 集成ASC保护功能

    • 工作温度： Tj=-40°C~150°C


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    技术文档

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    名称

    类别：

    应用笔记

    名称：

    智能隔离驱动芯片NSI6611的半桥应用和双脉冲测试指南

    类别：

    应用笔记

    名称：

    SiC MOSFET短路特性以及短路保护方法

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